大家好，芯片交易平台类型分类表相信很多的网友都不是很明白，包括NFC芯片厂家及PICC分类也是一样，不过没有关系，接下来就来为大家分享关于芯片交易平台类型分类表和NFC芯片厂家及PICC分类的一些知识点，大家可以关注收藏，免得下次来找不到哦，下面我们开始吧！

本文目录

1. NFC芯片厂家及PICC分类
2. 笔记本的分类
3. 大家平时都是怎样买芯片的

一、NFC芯片厂家及PICC分类

NFC芯片基本被国外厂商垄断，其中恩智浦、ST、INSIDESecure为三大主流NFC芯片厂商。

荷兰皇家飞利浦电子公司（NYSE交易代号：PHG，AEX交易代号：PHI）是世界上最大的电子公司之一，在欧洲名列榜首。Philip是世界上最大的非接触智能卡提供商，也是NFC论坛的创始厂商之一，在ISO14443 Type A上有完整的专利，并且据此制造的非接触智能卡MIFARE系列。MIFARE系列非接触智能卡除了具有标准Type A协议之外，还带有Philips自行定义的并不公开的独特的加密算法。

NXP于2006年从飞利浦（Philips）电子公司独立出来，NXP基于飞利浦开发电子产品时发明的高效能混合讯号技术，以及瞄准未来联网以及节能趋势，专注于开发汽车、辨识、可携式装置及电脑、基础设备及工业四大领域的IC，其中辨识IC为其主要的营收来源，NFC晶片即属于辨识IC的主力产品之一。

1994年NXP就开发出MIFARE技术，虽然标准未被纳入NFCForum，但基于此两种标准的MIFARE卡目前被欧美的交通运输市场广泛采用。NXP以此优势，推出市场上唯一同时相容MIFARE标准与NFCForum标准的产品，增加其晶片在国际间的通用性。

目前，交通运输与手机的NFC晶片市场几乎被NXP所垄断，在移动支付领域占得一席之地。2016年高通收购恩智浦后，NFC移动支付有望迎来进一步的普及。

INSIDESecure前身为INSIDEContactless，专注于NFC技术以及交易安全技术的开发，因此产品多为用于智慧卡的NFC晶片;2010年，并购爱特梅尔（Atmel）的安全元件部门，且改名为INSIDESecure，宣示该公司着重于NFC安全元件开发的决心，于2012年开发出该公司第一颗NFC安全元件--valutSEcure。虽然目前该公司以安全元件开发为主轴，但并未放弃智慧卡NFC晶片的主导权。

由于从NFC技术的开发起家，因此INSIDESecure拥有相当完整的NFC的基础，但因为交通运输与行动电话的NFC晶片市场几乎被NXP所垄断，INSIDESecure转而投入NFC安全元件技术的开发。

INSIDESecure为非接触式应用（包括银行卡付款和近距离通信（NFC））提供最灵活、最先进、低成本和最可靠的平台，为支付卡、身份识别和门禁提供高性能和开放标准解决方案。

意法半导体为一家拥有晶圆厂的半导体商，其产品主要应用到微机电制造与感测器、车辆、能源、微控制器（MCU）、以及消费型电子产品五大领域，NFC晶片属于MCU产品线。

由于意法半导体与ARM合作，基于其处理器架构上，开发多达四百五十种的MCU，包含了从高运算速度到低运算速度的产品，这些MCU只要与NFC控制器作整合，就可以搭载在不同的终端类型产品进行NFC的应用，让业者可由应用面及价格来做最佳选择。

此外，由于看到安全元件在行动支付应用的重要性，该公司亦开发安全元件的MCU。在NFC的安全元件MCU方面，由于不同类型终端业者所需要的安全元件模式不同，所以同时开发三种安全元件模式的产品（内嵌于行动电话、内嵌于microSD卡及内嵌于SIM卡）。

作为NFC主要供应商之一，英飞凌在NFC市场发展中扮演着关键角色，以三种方式将NFC应用安全功能带给移动终端：通过用于SIM卡的NFC安全微控制器、通过作为移动电话电子元件一部分的嵌入式安全元件（Secure Element）以及通过可用作microSD卡等设备的安全元件。这使得英飞凌成为世界上唯一能如此灵活实现NFC功能的半导体制造商。英飞凌提供的 NFC解决方案可满足针对安全微控制器的最严格要求，包括Common Criteria EAL 5+“high”国际标准和EMVCo（Europay国际、万事达、Visa）认证。它们适用于各种借助移动终端实现的NFC支付应用。

作为上游的芯片厂商，博通早就推出了NFC芯片BCM20793，且推出独立NFC控制器以及集NFC/蓝牙/Wi-Fi/FM收音机技术于一身的四合一组合芯片BCM43341。20151年，博通建成了一条“近场通讯技术（NFC）”芯片生产线。凡是采用此NFC芯片的智能手机和消费电子产品就可以变身为“移动钱包”。

与Philips相类似，SONY同样是NFC论坛的创始者，SONY的Felica系列智能卡，遵循 ISO14443 Type C的标准，而这一标准，也同样由SONY创始，并在世界范围内申请了专利。

产品：NFC芯片及模组、NFC芯片、NFC模组、高频远距离RFID芯片、防伪RFID芯片、非接触智能卡芯片、个性化芯片定制、电子标签、NFC贴纸、智能卡。

2.深圳市创新佳电子标签有限公司

产品：RFID电子标签、RFID卡、NFC标签、RFID Inlay、RFID手腕带、RFID钥匙扣、超高频电子标签、特种标签、ID/IC非接触式卡、接触式智能卡、智能滴胶卡、RFID读写设备、屏蔽卡、屏蔽卡套、rfid玻璃管标签。

3.深圳市芯益诚智能卡技术有限公司

产品：智能卡、电子标签（NFC标签、高频RFID（HF）、超高频电子标签（UHF））、 PVC卡、可视卡、滴胶卡、手腕带。

产品：标准智能卡系列、异形智能卡系列、普通PVC卡、电子标签系列、水晶滴胶卡和NFC标签、INLAY（半成品）。

**5.深圳市华海智能卡有限公司**

产品：手机测试白卡、非接触式卡、接触式卡、钱币卡、子母卡、RFID标签、射频腕带、磁条卡、异形卡、水晶滴胶卡、金属卡、钥匙扣、其他卡、中料。

产品：门禁系统、电子门锁、速通门系统、防空隔离系统、一卡通应用、射频识别产品

产品：NFC模块，NFC烧入工具，NFC测试工具，蓝牙成品测试工具

产品：非接触智能卡、接触智能卡，RFID电子标签及系统解决方案

9、上海斯图曼通信技术有限公司

产品：全功能NFC模块方案/串口、NFC模块方案、NFC UART AT指令模块

10、上海复旦微电子集团股份有限公司

产品：安全与识别芯片、智能电表、非挥发存储器、专用模拟电路、北斗导航

11、中山达华智能科技股份有限公司

产品：非接触式智能卡、智能电子标签、RFID读卡设备

二、笔记本的分类

1、根据笔记本电脑大小、重量和定位，笔记本电脑一般可以分为台式机替代型、主流型、轻薄型、超便携和平板电脑五类（因科技发展速度较快，本词条仅提供当时主流配置及型号）。该类笔记本电脑都拥有最强的性能，从硬件配置上来说，与高端台式机不相上下，处理器方面使用的一般都是主频在3GHz以上的core移动版处理器。500G以上高速硬盘；最高规格的笔记本电脑用专用显卡（例如：ATi hd 6900M或者nVidia GTX 500m等）；15英寸或者更大屏幕的LCD显示屏；一个以上的内置蓝光光驱等等。

2、但是对于性能的提升，用户也是需要为之付出代价的，因此随之带来的就是大体积、大重量和高发热量，而由于体积大和重量重的缘故，也造成了此类机型的便携性比较差,重量多高于3kg。

3、此类机型对于计算能力和图形性能要求非常高的游戏玩家或是从事图形设计的专业人士比较适合。其中的典型代表有DELLAlienware笔记本电脑，华硕ROG系列专业游戏本等。受全球不同区域用户的使用习惯所影响，这类大号机型在美国和欧洲市场更受欢迎，比如华硕ROG系列专业游戏本在美国的游戏本市场占有率就高达80%以上。这类机型最为常见，是大部分潜在笔记本电脑用户的首选。从配置上来说可以满足各种需求，商务、办公、娱乐、视频、图像等功能的整合已经十分成熟。从便携性上来说，相对适宜的重量和成熟的开发模具，让使用者更加方便，属于整体性价比较高的一类机种。

4、除了拥有主流的配置之外，这类机型在体积、重量、电池续航方面也会寻找一个平衡点，从而满足日常应用的各种需求。在屏幕方面，此类笔记本电脑一般是配备14-15英寸屏幕。

5、在中国市场，这类机型一直占据着绝对主流的市场份额。像市场上热捧的联想小Y、华硕A系列等等，都是各品牌的市售主力军。对于学生用户和企业用户而言，这类机型通常都是首选。这是介于主流机型和迷你型笔记本电脑间的类型，主要是针对追求性价比或者是对于性能和便携性要求较高的商务用户。从中国市场来看，这个层次的机型还是很有市场的。轻薄的机身，较长时间的

6、续航，不俗的商务娱乐性能，精彩的设计工艺，吸引了众多白领阶层人士。

7、过去该类笔记本电脑多配备处理器制造商专门设计的低电压处理器，主频也会相对低一些，但功耗和发热量方面完全适合超轻薄笔记本的设计要求。不过近两年随着技术的不断革新，以11—13英寸为主力的轻薄本同样能提供媲美主流型机种的优秀效能。与此同时，长效续航的节能特质，也在这类机型身上得到更好的展现。可选配的内、外置光驱，以及周全的扩展解决方案，使这类机型逐渐向主流机型靠拢。

8、华硕U系列、索尼TX、宏碁S3系列等都是这类笔记本电脑的代表。尽管他们各自的定位、参数、工艺、理念不同，但轻薄而不失主流效能，是这类机型的。目前，平板笔记本是电脑领域的新潮类别，多合一的理念让平板笔记本既可以取代平板电脑，

9、又可以当常规笔记本电脑使用，得到了不少消费者的青睐。

10、从模式类别的角度考虑，显然是采用360°机身翻转设计的平板笔记本最合适。可以实现360度的翻转从而完成4种模式的变换，即笔记本模式、帐篷模式、站立模式以及平板模式，更多模式的变换可以满足更加丰富的使用场景。外壳除了美观外，相对于台式计算机更起到对于内部器件的保护作用的。较为流行的外壳材料有：工程塑料、镁铝合金、碳纤维复合材料（碳纤维复合塑料）。其中碳纤维复合材料的外壳兼有工程塑料的低密度高延展及镁铝合金的刚度与屏蔽性，是较为优秀的外壳材料。一般硬件供应商所标示的外壳材料是指笔记本电脑的上表面材料，托手部分及底部一般习惯使用工程塑料。

11、笔记本电脑常见的外壳用料有：合金外壳有铝镁合金与钛合金，塑料外壳有碳纤维、聚碳酸酯PC和ABS工程塑料。铝镁合金：其导热性能和强度尤为突出。铝镁合金质坚量轻、密度低、散热性较好、抗压性较强，其硬度是传统塑料机壳的数倍，但重量仅为后者的三分之一。铝镁合金成了便携型笔记本电脑的首选外壳材料，大部分厂商的笔记本电脑产品均采用了铝镁合金外壳技术。缺点：镁铝合金并不是很坚固耐磨，成本较高，比较昂贵，而且成型比ABS困难。钛合金：钛合金与镁合金除了掺入金属本身的不同外，最大的分别之处，就是还渗入碳纤维材料，无论散热，强度还是表面质感都优于铝镁合金材质，加工性能更好。关键性的突破是强韧性更强、而且更薄。钛合金厚度只有镁合金的一半，可以让笔记本电脑体积更娇小。钛合金缺点就是十分昂贵。碳纤维：碳纤维既拥有铝镁合金高雅坚固的特性，又有ABS工程塑料的高可塑性。它的外观类似塑料，但是强度和导热能力优于普通的ABS塑料。据IBM公司的资料显示，碳纤维强韧性是铝镁合金的两倍，而且散热效果最好。若使用时间相同，碳纤维机种的外壳摸起来最不烫手。碳纤维的缺点是成本较高。此外，碳纤维机壳还有一个缺点，就是如果接地不好，会有轻微的漏电感。聚碳酸酯PC：是笔记本电脑外壳采用的材料的一种，它的原料是石油，从实用的角度，其散热性能也比ABS塑料较好，热量分散比较均匀，它的最大缺点是比较脆，一跌就破，我们常见的光盘就是用这种材料制成的。不管从表面还是从触摸的感觉上，这种材料感觉都像是金属。如果笔记本电脑内没有标识的话，单从外表面看不仔细去观察，可能会以为是合金物。ABS工程塑料：在化工业的中文名字叫塑料合金。这种材料既具有PC树脂的优良耐热耐候性、尺寸稳定性和耐冲击性能，又具有ABS树脂优良的加工流动性。所以能保持其优异的性能，以及保持塑料与一种酯组成的材料的成型性。最大的缺点就是质量重、导热性能欠佳。ABS工程塑料由于成本低，被大多数笔记本电脑厂商采用。笔记本电脑从诞生之初就开始使用液晶屏(LCD、LED)作为其标准输出设备，其分类大致有：STN、薄膜电晶体液晶显示器(TFT)等。现今民用级别的液晶屏较为优秀的有夏普（SHARP）公司的“超黑晶”及东芝公司的“低温多晶硅”等，这两款都是薄膜电晶体液晶显示器(TFT)液晶屏。除了屏幕外液晶屏的发光设备也是非常的重要，质量较差的灯管会使得液晶屏的色温偏差非常的严重（主要是发黄或者发红）。

12、随着显示技术的不断发展，LED高清显示屏已逐渐取代LCD显示屏，广泛应用于笔记本电脑、液晶显示器中。（LED panel）：LED就是light emitting diode，发光二极管的英文缩写，简称LED。它是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式，用来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。LED的技术进步是扩大市场需求及应用的最大推动力。最初，LED只是作为微型指示灯，在计算机、音响和录像机等高档设备中应用，随着大规模集成电路和计算机技术的不断进步，LED显示器迅速崛起，逐渐扩展到证券行情股票机、数码相机、PDA以及手机领域。LED显示器集微电子技术、计算机技术、信息处理于一体，以其色彩鲜艳、动态范围广、亮度高、寿命长、工作稳定可靠等优点，成为最具优势的新一代显示媒体，LED显示器已广泛应用于大型广场、商业广告、体育场馆、信息传播、新闻发布、证券交易等，可以满足不同环境的需要。微处理器（或者说CPU）与操作系统配合工作，控制计算机的运行。它就像是计算机的大脑。CPU会产生大量热量，所以台式机通过空气流通、风扇和散热器（由底板、通道和散热翅片组成的系统，用于带走处理器产生的热量）来冷却各个部件的温度。由于笔记本电脑内部的空间很小，无法使用上述这些冷却方法，因此它的CPU通常：

13、具有更低的运行电压和时钟频率——这样可减少产生的热量，同时降低电力消耗，但是也会降低处理器的速度。此外，在插上外接电源时，大多数笔记本电脑会以较高的电压和时钟频率运行，在使用电池时则使用较低的电压和频率。

14、不通过引脚的方式安装到主板上——台式机中的引脚和插座占据了大量的空间。在某些笔记本电脑主板中，处理器直接安装在主板上，没有使用插座。其他主板则使用Micro-FCBGA（翻转芯片球形网阵），也就是使用球来代替引脚。这样的设计可节省空间，但是在某些情况下也意味着不能将处理器从主板上拆下进行更换或升级。

15、具有睡眠或慢速运行模式——如果计算机处于空闲状态或者处理器不需要快速运行，计算机和操作系统会相互配合来降低CPU的速度。AppleG4处理器还会确定数据的优先级来最大限度节省电池电量。

16、笔记本电脑通常有小型的风扇、散热器、导热片或导热管，帮助CPU排走热量。一些更为高端的笔记本电脑型号甚至通过在沿着导热管布置的通道中加注冷却液来减少热量。此外，大多数笔记本电脑的CPU都靠近机壳的边缘。这样，风扇可以将热量直接吹到外部，而不是吹到其他部件上。硬盘的性能对系统整体性能有至关重要的影响。硬盘不是越大越好。因为硬盘越大，相对地搜寻资料的时间也越久。主流笔记本电脑一般配备较大容量的硬盘，可保证移动办公有充足宽裕的空间。而需要经常移动上网的用户，为了存储大量的硬盘缓冲和下载的软件，这一容量的硬盘也应该足够了。但是，如果你是需要以笔记本电脑来代替台式电脑，又或者你没有任何备份设备的话，如CD－RW或ZIP等等，如果你是经常制作一些多媒体的演示文件的话，由于声音、图像动画等文件都需要占据大量的硬盘空间，这时，可以选择250GB或者320GB容量的硬盘。当然，如果你非常注重硬盘性能，可以选择时下比较厉害的TB级超大容量硬盘。

17、由于受发热量、耗电量和体积等因素的限制，笔记本电脑硬盘的转速、持续传输速度和随机传输速度都低于台式机硬盘。主流台式机的硬盘转速为7200rPm，但是笔记本硬盘转速仍以5400转为主。虽然市面早已有7200转笔记本硬盘，但由于价格因素没有得到很好普及。笔记本电脑的内存可以在一定程度上弥补因处理器速度较慢而导致的性能下降。一些笔记本电脑将缓存内存放置在CPU上或非常靠近CPU的地方，以便CPU能够更快地存取数据。有些笔记本电脑还有更大的总线，以便在处理器、主板和内存之间更快传输数据。

18、笔记本电脑通常使用较小的内存模块以节省空间。笔记本电脑中使用的内存类型包括：

19、·紧凑外形双列直插内存模块(SODIMM)；

20、·双倍数据传输率同步动态随机存取内存(DDR SDRAM)；

21、单数据传输率同步随机存取内存(SDRAM)；

22、一些笔记本电脑的内存能够升级，并且能通过可拆卸面板来轻松拆装内存模块。与台式电脑不同，电池不仅是笔记本电脑最重要的组成部件之一，而且在很大程度上决定了它使用的方便性。对笔记本电脑来说，轻和薄的要求使得对电池的要求也非同一般。IDC的研究报告显示，与重量、显示尺寸、背光等因素相比，笔记本电脑的电池使用时间是用户最为关心的问题。

23、笔记本电脑上普遍使用的是可充电电池，同时也提供对一般民用交流电的支持，这样就等于为电脑提供了一台性能极其优良的UPS。但是能否与民用交流电共用，这就要看电池的种类了。能够见到的电池种类大致有三种。一种是较为少见的镍镉电池，这种电池具有记忆效应，即每次必须将电池彻底用完后再单独充电，充电也必须一次充满才能使用。如果每次充放电不充分，充电不满或放电不净都会导致电池容量减少；第二种是镍氢电池，这种电池基本上没有记忆效应，充放电比较随意，因此在使用时，可以在将笔记本电脑所配的电源适配器接入交流电的同时使用电脑。此时如果电池处于不足状态，就可以一边充电一边使用电脑，如果交流电停电，电池可以自动供电。以上两种电池的单独供电时间标称一般不会超过2个小时，实际使用时间一般在1个小时左右。价格方面这两种电池相差不大。第三种锂电池是主流产品，特点是高电压、低重量、高能量，没有记忆效应，也可以随时充电；在其他条件完全相同的情况下，同样重量的锂离子电池比镍氢电池的供电时间延长5%，一般在2个小时以上，有的甚至能达4个小时，采用最新技术的超长时间锂电池单电可以高达6至7．5小时，如果采用第二块电池?还可支持3小时，共同使用可长达9至11小时，视使用情况而定，可满足全天移动办公的需要。中高档笔记本电脑都配备这种电池。

24、除了电池自身的容量和质量之外，笔记本电脑的电源管理能力也是用户必须考虑的。几乎所有的笔记本电脑都支持ACPI电源管理特性，主板的控制芯片组也可以通过控制内存的时钟，将内存设置于低电状态来减少能耗。Intel SpeedStep技术通过降低处理器速度来延长电池使用时间。另外一个和电池相关的是电源适配器，最好具有当电池充满后就自动停止充电而仅向主机供电的功能，这样可以有效防止电池过分充电，有利于延长电池的寿命。同时，一些高端笔记本电脑在电路设计时，大量采用低功率的电子元件，其耗电量相对会降低许多。显卡有集成显卡，独立显卡和核心显卡之分。集成显卡是将显示芯片、显存及其相关电路都做在主板上，与主板融为一体；集成显卡的显示芯片有单独的，大部分都集成在主板的北桥芯片中；一些主板集成的显卡也在主板上单独安装了显存，但其容量较小，集成显卡的显示效果与处理性能相对较弱，不能对显卡进行硬件升级，但可以通过CMOS调节频率或刷入新BIOS文件实现软件升级来挖掘显示芯片的潜能；集成显卡的优点是功耗低、发热量小、部分集成显卡的性能已经可以媲美入门级的独立显卡，所以不用花费额外的资金购买显卡。但是，很多游戏对显卡有相当大的需求，像是一些大型的单机或网络游戏，集成显卡并不能胜任。

25、独立显卡是独立于主板的显卡，没有集成与主板上，独立显卡也有好坏之分，一般独立显卡的显存和处理能力大于集成显卡，而且对笔记本的散热和电池的供电都有相当高的需求，对于想玩大型游戏的用户来说独立显卡是必须的硬件装备。另外，限于笔记本体积等原因，独立显卡一般也是被直接焊接在主板上的，需要自行DIY显卡的DIYer需要自行分析操作的可行性。

26、核心显卡是Intel新一代图形处理核心，和以往的显卡设计不同，Intel凭借其在处理器制程上的先进工艺以及新的架构设计，将图形核心与处理核心整合在同一块基板上，构成一颗完整的处理器。智能处理器架构。

27、这种设计上的整合大大缩减了处理核心、图形核心、内存及内存控制器间的数据周转时间，有效提升处理效能并大幅降低芯片组整体功耗，有助于缩小了核心组件的尺寸，为笔记本、一体机等产品的设计提供了更大选择空间。需要注意的是，核心显卡和传统意义上的集成显卡并不相同。笔记本平台采用的图形解决方案主要有“独立”和“集成”两种，前者拥有单独的图形核心和独立的显存，能够满足复杂庞大的图形处理需求，并提供高效的视频编码应用；集成显卡则将图形核心以单独芯片的方式集成在主板上，并且动态共享部分系统内存作为显存使用，因此能够提供简单的图形处理能力，以及较为流畅的编码应用。相对于前两者，核心显卡则将图形核心整合在处理器当中，进一步加强了图形处理的效率，并把集成显卡中的“处理器+南桥+北桥（图形核心+内存控制+显示输出）”三芯片解决方案精简为“处理器（处理核心+图形核心+内存控制）+主板芯片（显示输出）”的双芯片模式，有效降低了核心组件的整体功耗，更利于延长笔记本的续航时间。

三、大家平时都是怎样买芯片的

电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）集成电路（hybrid integrated circuit）是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。

从1949年到1957年，维尔纳·雅各比（Werner Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·达林顿（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都开发了原型，但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因此荣获2000年诺贝尔物理奖，但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯，却早于1990年就过世。

晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。

集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350

mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。

第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。

根据一个芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路可以分为以下几类：

小型集成电路（SSI英文全名为Small Scale Integration）逻辑门10个以下或晶体管100个以下。

中型集成电路（MSI英文全名为Medium Scale Integration）逻辑门11~100个或晶体管101~1k个。

大规模集成电路（LSI英文全名为Large Scale Integration）逻辑门101~1k个或晶体管1,001~10k个。

超大规模集成电路（VLSI英文全名为Very large scale integration）逻辑门1,001~10k个或晶体管10,001~100k个。

极大规模集成电路（ULSI英文全名为Ultra Large Scale Integration）逻辑门10,001~1M个或晶体管100,001~10M个。

GLSI（英文全名为Giga Scale Integration）逻辑门1,000,001个以上或晶体管10,000,001个以上。

最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心，可以控制计算机到手机到数字微波炉的一切。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高，但是当分散到通常以百万计的产品上，每个集成电路的成本最小化。集成电路的性能很高，因为小尺寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。

这些年来，集成电路持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能，见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每1.5年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了，单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC也存在问题，主要是泄漏电流。因此，对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图中有很好的描述。

仅仅在其开发后半个世纪，集成电路变得无处不在，计算机、手机和其他数字电器成为社会结构不可缺少的一部分。这是因为，现代计算、交流、制造和交通系统，包括互联网，全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学者认为有集成电路带来的数字革命是人类历史中最重要的事件。IC的成熟将会带来科技的大跃进，不论是在设计的技术上，或是半导体的工艺突破，两者都是息息相关。[1]

集成电路的分类方法很多，依照电路属模拟或数字，可以分为：模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路（模拟和数字在一个芯片上）。

数字集成电路可以包含任何东西，在几平方毫米上有从几千到百万的逻辑门、触发器、多任务器和其他电路。这些电路的小尺寸使得与板级集成相比，有更高速度，更低功耗（参见低功耗设计）并降低了制造成本。这些数字IC，以微处理器、数字信号处理器和微控制器为代表，工作中使用二进制，处理1和0信号。

模拟集成电路有，例如传感器、电源控制电路和运放，处理模拟信号。完成放大、滤波、解调、混频的功能等。通过使用专家所设计、具有良好特性的模拟集成电路，减轻了电路设计师的重担，不需凡事再由基础的一个个晶体管处设计起。

集成电路可以把模拟和数字电路集成在一个单芯片上，以做出如模拟数字转换器和数字模拟转换器等器件。这种电路提供更小的尺寸和更低的成本，但是对于信号冲突必须小心。[1]

参见：半导体器件制造和集成电路设计

从20世纪30年代开始，元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的威廉·肖克利（William Shockley）认为是固态真空管的最可能的原料。从氧化铜到锗，再到硅，原料在20世纪40到50年代被系统的研究。尽管元素周期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管、激光、太阳能电池和最高速集成电路，单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。

半导体集成电路工艺，包括以下步骤，并重复使用：

薄膜（化学气相沉积或物理气相沉积）

使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。

IC由很多重叠的层组成，每层由视频技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。

在一个自排列（CMOS）过程中，所有门层（多晶硅或金属）穿过扩散层的地方形成晶体管。

电阻结构，电阻结构的长宽比，结合表面电阻系数，决定电阻。

电容结构，由于尺寸限制，在IC上只能产生很小的电容。

更为少见的电感结构，可以制作芯片载电感或由回旋器模拟。

因为CMOS设备只引导电流在逻辑门之间转换，CMOS设备比双极型组件（如双极性晶体管）消耗的电流少很多。透过电路的设计，将多颗的晶体管管画在硅晶圆上，就可以画出不同作用的集成电路。

随机存取存储器是最常见类型的集成电路，所以密度最高的设备是存储器，但即使是微处理器上也有存储器。尽管结构非常复杂－几十年来芯片宽度一直减少－但集成电路的层依然比宽度薄很多。组件层的制作非常像照相过程。虽然可见光谱中的光波不能用来曝光组件层，因为他们太大了。高频光子（通常是紫外线）被用来创造每层的图案。因为每个特征都非常小，对于一个正在调试制造过程的过程工程师来说，电子显微镜是必要工具。

在使用自动测试设备（ATE）包装前，每个设备都要进行测试。测试过程称为晶圆测试或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块，每个被称为晶片（“die”）。每个好的die被焊在“pads”上的铝线或金线，连接到封装内，pads通常在die的边上。封装之后，设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本

产品的制造成本的25%，但是对于低产出，大型和/或高成本的设备，可以忽略不计。

在2005年，一个制造厂（通常称为半导体工厂，常简称fab，指fabrication facility）建设费用要超过10亿美元，因为大部分操作是自动化的。[1]

芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。

首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样”

晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体所需要的晶圆。晶圆越薄，生产的成本越低，但对工艺就要求的越高。

晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种。

光刻工艺的基本流程如图1[2]所示。首先是在晶圆（或衬底）表面涂上一层光刻胶并烘干。烘干后的晶圆被传送到光刻机里面。光线透过一个掩模把掩模上的图形投影在晶圆表面的光刻胶上，实现曝光，激发光化学反应。对曝光后的晶圆进行第二次烘烤，即所谓的曝光后烘烤，后烘烤使得光化学反应更充分。最后，把显影液喷洒到晶圆表面的光刻胶上，对曝光图形显影。显影后，掩模上的图形就被存留在了光刻胶上。涂胶、烘烤和显影都是在匀胶显影机中完成的，曝光是在光刻机中完成的。匀胶显影机和光刻机一般都是联机作业的，晶圆通过机械手在各单元和机器之间传送。整个曝光显影系统是封闭的，晶圆不直接暴露在周围环境中，以减少环境中有害成分对光刻胶和光化学反应的影响[2]。

图1：现代光刻工艺的基本流程和光刻后的检测步骤

该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软。通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。这时可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。

将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。

具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将该流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。这一点类似多层PCB板的制作原理。

更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。

经过上面的几道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织一次针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。数量越大相对成本就会越低，这也是为什么主流芯片器件造价低的一个因素。

将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作成各种不同的封装形式，这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN等等。这里主要是由用户的应用习惯、应用环境、市场形式等外围因素来决定的。

经过上述工艺流程以后，芯片制作就已经全部完成了，这一步骤是将芯片进行测试、剔除不良品，以及包装。

芯片命名方式一般都是：字母+数字+字母

前面的字母是芯片厂商或是某个芯片系列的缩写。像MC开始的多半是摩托罗拉的，MAX开始的多半是美信的。

中间的数字是功能型号。像MC7805和LM7805，从7805上可以看出它们的功能都是输出5V，只是厂家不一样。

后面的字母多半是封装信息，要看厂商提供的资料才能知道具体字母代表什么封装。

74系列是标准的TTL逻辑器件的通用名称，例如74LS00、74LS02等等，单从74来看看不出是什么公司的产品。不同公司会在74前面加前缀，例如SN74LS00等。

一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分:

前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品。

器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量）。

温度等级-----区分商业级，工业级，军级等。一般情况下，C表示民用级，Ⅰ表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级。

封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它内容:

速率----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示。

工艺结构----如通用数字IC有COMS和TL两种，常用字母C，T来表示。

是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环保，如z，R，+等。

包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等。

版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本。

C=0℃至60℃（商业级）；I=-20℃至85℃（工业级）；E=-40℃至85℃（扩展工业级）；A=-40℃至82℃（航空级）；M=-55℃至125℃（军品级）

A—SSOP；B—CERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷铜顶；E—QSOP；F—陶瓷SOP；H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP﹔N—DIP;；Q—PLCC；R一窄陶瓷DIP

（300mil）；S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100﹔U—TSSOP，uMAX，SOT；W—宽体小外型(300mil)﹔

X—SC-60(3P，5P，6P)﹔ Y―窄体铜顶；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增强型塑封﹔/W-晶圆。

A—8；B—10﹔C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28

；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20﹔Q—2，100﹔R—3，843；S——4，80；T—6，160；U—60；V—8(圆形)﹔

W—10(圆形)﹔X—36；Y—8(圆形)﹔Z—10(圆形)。

注:接口类产品四个字母后缀的第一个字母是E，则表示该器件具备抗静电功能

最早的集成电路使用陶瓷扁平封装，这种封装很多年来因为可靠性和小尺寸继续被军方使用。商用电路封装很快转变到双列直插封装，开始是陶瓷，之后是塑料。20世纪80年代，VLSI电路的针脚超过了DIP封装的应用限制，最后导致插针网格数组和芯片载体的出现。

表面贴着封装在20世纪80年代初期出现，该年代后期开始流行。它使用更细的脚间距，引脚形状为海鸥翼型或J型。以Small-Outline

Circuit（SOIC）为例，比相等的DIP面积少30-50%，厚度少70%。这种封装在两个长边有海鸥翼型引脚突出，引脚间距为0.05英寸。

Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）和PLCC封装。20世纪90年代，尽管PGA封装依然经常用于高端微处理器。PQFP和thin small-outline package（TSOP）成为高引脚数设备的通常封装。Intel和AMD的高端微处理从PGA（Pine Grid Array）封装转到了平面网格阵列封装（Land Grid Array，LGA）封装。

球栅数组封装封装从20世纪70年代开始出现，90年代开发了比其他封装有更多管脚数的覆晶球栅数组封装封装。在FCBGA封装中，晶片（die）被上下翻转（flipped）安装，通过与PCB相似的基层而不是线与封装上的焊球连接。FCBGA封装使得输入输出信号阵列（称为I/O区域）分布在整个芯片的表面，而不是限制于芯片的外围。如今的市场，封装也已经是独立出来的一环，封装的技术也会影响到产品的质量及良率。[1]

狭义:利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板.上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。

广义:将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。

1、传递功能；2、传递电路信号；3、提供散热途径；4、结构保护与支持。

封装工程始于集成电路芯片制成之后，包括集成电路芯片的粘贴固定、互连、封装、密封保护、与电路板的连接、系统组合，直到最终产品完成之前的所有过程。

第一层次:又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定、电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次组装进行连接的模块(组件)元件。

第二层次:将数个第-层次完成的封装与其他电子元器件组成--个电路卡的工艺。第三层次:将数个第二层次完成的封装组装的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺。

第四层次:将数个子系统组装成为一个完整电子产品的工艺过程。

在芯片.上的集成电路元器件间的连线工艺也称为零级层次的封装，因此封装工程也可以用五个层次区分。

1、按封装集成电路芯片的数目:单芯片封装(scP)和多芯片封装(MCP)；

2、按密封材料区分:高分子材料(塑料)和陶瓷；

3、按器件与电路板互连方式:引脚插入型(PTH)和表面贴装型(SMT)4、按引脚分布形态:单边引脚、双边引脚、四边引脚和底部引脚；

SMT器件有L型、J型、I型的金属引脚。

SIP:单列式封装 SQP:小型化封装 MCP:金属罐式封装 DIP:双列式封装 CSP:芯片尺寸封装QFP:四边扁平封装 PGA:点阵式封装 BGA:球栅阵列式封装LCCC:无引线陶瓷芯片载体

芯片是一种集成电路，由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模，大到几亿；小到几十、几百个晶体管。晶体管有两种状态，开和关，用1、0来表示。多个晶体管产生的多个1与0的信号，这些信号被设定成特定的功能（即指令和数据），来表示或处理字母、数字、颜色和图形等。芯片加电以后，首先产生一个启动指令，来启动芯片，以后就不断接受新指令和数据，来完成功能。

2020年8月，国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，让本已十分火热的国产芯片行业再添重磅利好。[3]

据美国消费者新闻与商业频道网站8月10日报道，中国公布一系列政策来帮助提振国内半导体行业。大部分激励措施的焦点是减税。例如，经营期在15年以上、生产的集成电路线宽小于28纳米（含）的制造商将被免征长达10年的企业所得税。对于芯片制造商来说，优惠期自获利年度起计算。新政策还关注融资问题，鼓励公司在科创板等以科技股为主的证券交易板块上市。[4]

1965年，第一批国内研制的晶体管和数字电路在河北半导体研究所鉴定成功。

1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属-氧化物-半导体）集成电路。

1970年，背景878厂、上无十九厂建成投产。

1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川一四二四研究所制。

1976年，中科院计算所采用中科院109厂（现中科院微电子研究所）研制的ECL（发射极耦合逻辑电路），研制成功1000万次大型电子计算机。[5]

1980年，中国第一条3英寸线在878厂投入运行。

1982年，江苏无锡724厂从东芝引进电视机集成电路生产线，这是中国第一次从国外引进集成电路技术；

国务院成立电子计算机和大规模集成电路领导小组，制定了中国IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。

1985年，第一块64K DRAM在无锡国营724厂试制成功。

1988年，上无十四厂建成了我国第一条4英寸线。

1989年，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出振兴集成电路的发展战略；

724厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶电子集团公司。[5]

1990年，国务院决定实施“908”工程。

1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司——首钢NEC电子有限公司。

1992年，上海飞利浦公司建成了我国第一条5英寸线。

1993年，第一块256K DRAM在中国华晶电子集团公司试制成功。

1994年，首钢日电公司建成了我国第一条6英寸线。

1995年，国务院决定继续实施集成电路专项工程（“909”工程），集中建设我国第一条8英寸生产线。

1996年，英特尔公司投资在上海建设封测厂。

1997年，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建上海华虹NEC电子有限公司，主要承担“909”主体工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。

1998年，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，开始了中国大陆的Foundry时代；由北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心承担的我国第一条8英寸硅单晶抛光生产线建成投产。

1999年，上海华虹NEC的第一条8英寸生产线正式建成投产。[5]

2000年，中芯国际在上海成立，国务院18号文件加大对集成电路的扶持力度。

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